Samsung celebra el primer envío de chips Gate-All-Around de 3nm
Samsung comenzó la fabricación de chips utilizando el proceso Gate-All-Around (GAA) de 3nm el mes pasado y hoy realizó una ceremonia para celebrar el primer envío de dichos chips.
A la ceremonia asistieron alrededor de 100 personas, incluidos ejecutivos y empleados de la empresa, directores ejecutivos de empresas que buscan utilizar la nueva tecnología, así como Lee Chang-yang, el Ministro de Comercio, Industria y Energía, quien prometió apoyo para el ecosistema de semiconductores del país.
De izquierda a derecha: el director ejecutivo de Samsung Electronics, el ministro Lee Chang-yang, y el director ejecutivo de la división de fundición de Samsung. Samsung Electronics comenzó a investigar transistores GAA a principios de la década de 2000 y experimentó con el diseño en 2017. Ahora está listo para producir chips en masa utilizando el nuevo proceso.
En comparación con el diseño FinFET, que ha sido el estándar durante varios años, el diseño Gate-All-Around permite que los transistores transporten más corriente mientras se mantienen relativamente pequeños.
Según Samsung, los chips GAA de 3 nm usarán un 45 % menos de energía, serán un 23 % más rápidos y un 16 % más pequeños en comparación con un chip FinFET de 5 nm similar. Esto es para la primera generación del proceso GAA, por cierto, Gen 2 mejorará aún más estas métricas.
La evolución de los transistores FET: Samsung usa el diseño MBCFET para sus chips de 3 nm . Samsung no dice qué tipo de chips se almacenaron para el primer envío, pero la compañía planea desarrollar conjuntos de chips para teléfonos inteligentes que usen el diseño GAA de 3 nm.
TSMC también comenzará la fabricación en masa de chips de 3nm a finales de este año, aunque seguirán utilizando el diseño FinFET: la empresa cambiará a GAAFET con la transición a un nodo de 2nm.
De izquierda a derecha: el director ejecutivo de Samsung Electronics, el ministro Lee Chang-yang, y el director ejecutivo de la división de fundición de Samsung. Samsung Electronics comenzó a investigar transistores GAA a principios de la década de 2000 y experimentó con el diseño en 2017. Ahora está listo para producir chips en masa utilizando el nuevo proceso.
La evolución de los transistores FET: Samsung usa el diseño MBCFET para sus chips de 3 nm . Samsung no dice qué tipo de chips se almacenaron para el primer envío, pero la compañía planea desarrollar conjuntos de chips para teléfonos inteligentes que usen el diseño GAA de 3 nm.
