El Galaxy A04, SM-A045F/DS, fue certificado por la NBTC hace una semana, ahora su homólogo de la serie M se ha visto en la base de datos de Geekbench. El teléfono tiene un número de modelo SM-M045F y la placa base aparece como «m04».
Esto no deja dudas de que se trata del Samsung Galaxy M04. No había «M03», solo un par de teléfonos M02 de principios del año pasado. Estos no son teléfonos potentes, pero ejecutan Android de pura sangre.
En el caso del M04, es Android 12 con un chipset Helio G35 combinado con 3 GB de RAM. Se trata de un chip de 12 nm con 8 núcleos Cortex-A53 de hasta 2,3 GHz, una GPU PowerVR GE83200 y un módem 4G integrado.
Samsung Galaxy M04 (SM-M045F) resultado de Geekbench Esta es la primera fuga de Galaxy M04, por lo que no sabemos muy bien qué esperar del teléfono. Por el contrario, ha habido muchas filtraciones de la serie A04: hubo A04 en Wi-Fi Alliance, los renders A04s y la fuga A04 Core.
El nuevo iQOO 9T llevará el tema M de BMW Motorsport como se vio en los buques insignia iQOO de la generación anterior con los colores característicos del fabricante de automóviles bávaro en su color blanco. El teléfono también se ofrecerá en color negro.
MacBook Air de 13,6″ con tecnología M2 Mientras tanto, los modelos iPad Pro de 11 y 12,9 pulgadas con pantallas OLED pueden usar tecnología de pantalla llamada «pila en tándem» que debería mejorar la resistencia del panel y reducir el consumo de energía en un 30%. Además, Se espera que los paneles OLED de Apple tengan frecuencias de actualización variables para mayor eficiencia. Las MacBook Pro de 14 y 16 pulgadas de Apple son las únicas computadoras portátiles que Apple ofrece con pantallas OLED que Apple llama ‘Liquid Retina XDR’.
El Oppo A55 similar ya está disponible en el país: otro teléfono Helio G35, aunque este con una cámara principal de 50MP. Cuesta INR 15,500 en Oppo.com, pero se puede encontrar por menos a través de los minoristas.
En cuanto al nodo de 2nm, aumentará el rendimiento entre un 10 % y un 15 % con el mismo consumo de energía y generará un consumo entre un 25 % y un 30 % menor con la misma frecuencia y número de transistores, en comparación con el nodo N3E. N2 aumenta la densidad de chips sobre N3E en 1,1x.
TSMC presentó los GAAFET (transistores de efecto de campo de compuerta completa). Los nuevos transistores de nanoláminas aumentarán el rendimiento por vatio al reducir la resistencia.
Mientras tanto, Samsung Foundry también comenzará a producir chips de 3nm en masa en 2022, pero también planea comenzar a producir chips de 2nm en 2025.
